HiPIMS

大功率脉冲

磁控溅射

HiPIMS HIGH POWER IMPULSE MAGNETRON SPUTTERING
真空应用解决方案提供商
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High power impulse magnetron sputtering coating system HiPIMS溅射涂层系统

      HiPIMS-800结合了经典直流溅射镀膜系统的所有优点和最新的HiPIMS技术的能力。该系统共配备六个溅射阴极,其中四个可以在HIPIMS或DC模式下工作。另外两个直流阴极可以操作,例如,提供更复杂的多层涂层,提供颜色和顶层涂层,或只是增加沉积速率。这些技术在一个过程中的绝对自由组合,以非常低的生产成本提供了有限的涂层设计范围。在纯HiPIMS模式下,沉积速率为2μm/h,处理时间为4-5小时。当所有6个阴极同时工作时,可达到3μm/h。这是迄今为止1。800圆柄工具或5。000可转位刀片涂层容量的难以置信的低生产时间。

      HiPIMS-800能够沉积所有可用的HCVAC溅射涂层和市场上几乎所有的PVD涂层。此外,它是开发定制流程的理想机器。客户友好用户界面“数据视图”和集成规划工具“数据计划”有助于设计单独的涂层解决方案。您的涂层将使您的产品在市场上脱颖而出,让用户获得竞争优势。其他功能,如用户友好的平板电脑和手机远程控制,便于维护的组件,全自动阴极百叶窗,自动关门和快速更换涂层台的装置使HiPIMS-800成为生产和开发最先进的高性能涂层的最佳涂层系统。

Product Advantage.

产品优势
HiPIMS-800大功率脉冲磁控溅射涂层系统包括以下关键功能:
  • 最高效率

    沉积速率高达2µm/小时

  • 一致性

    整个腔室中均匀的镀膜沉积速率

  • 最大吞吐量

    纯HiPIMS AlTiN的工艺周期为4小时30分钟

  • 快速

    转换时间最短,覆盖新的涂层材料和其他工具类型/批次

  • 全自动

    全自动,低维护要求

  • 监控

    本地或远程监控镀膜过程

型号 HiPIMS-800
镀膜范围 Ø400mm x 400mm
基板表 Ø400mm xØ130mm x 6
快速批量更换表 可选的
溅射阴极 6 x 500(包括4个可选的HiPIMS/DC和另外2个DC;所有阴极均配有百叶窗)
最大基板尺寸Øx h Ø400mm x 800mm
钻孔能力Ø6 mm x 60 mm 1800个
插入容量12.7 mm x 3.5 mm 4920个
最大工件重量 250KG
沉积速率 在纯HiPIMS模式下,2微米/小时。
在DC或combi模式下,最高可达3微米/小时。
循环时间* 4.5H
过程 HiPIMS和使用助推器技术的溅射。
所有已确定的氟氯烃涂层都是可能的。
基板预处理(等离子蚀刻) 增压器,MF和HiPIMS,蚀刻
导电涂料
非导电涂层
非导电基板
额定功率 80Kw
每批3微米涂层的功耗* 120kWh
外形尺寸 1450mm x 3350mm x 2200mm
重量 约3500Kg
舱门关闭 自动关闭
*10 mm铣刀纯HiPIMS涂层
型号 HCSH-400
有效等离子区域 D400×H450mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门4~5h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×4轴
最大装载量 200KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统

Application cases.

应用案例
型号 HCSH-650
有效等离子区域 D650×H750mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门5~8h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×8轴
最大装载量 500KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统
型号 HCSH-900
有效等离子区域 D900×H1200mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵×2
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×12轴
最大装载量 500KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统
型号 HCSH-1800
有效等离子区域 D900×H1500mm
最高工作温度 550℃
技术特点 PMAⅡ
AEG
HIPIMS
预处理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 D120 / D160 / W125
真空条件 极限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工艺周期 关门到开门7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
设备配置 磁悬浮分子泵×2
脉冲偏压电源
PC智能控制系统
标准转架 D140×12轴
最大装载量 500KG
备注 选用溅射(UBM,RF等)有效高度会适当减小
在线服务支持系统

Application cases.

应用案例
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